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IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
20
18
16
14
Fig. 7. Input Admittance
30
27
24
21
Fig. 8. Transconductance
12
10
8
6
4
2
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
18
15
12
9
6
3
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
45
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
40
35
30
9
8
7
V DS =400V
I D = 7A
I G = 10mA
6
25
T J = 125oC
5
20
4
15
10
5
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 13. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1 MHz
C iss
1,000
0.100
C oss
100
C rss
10
0.010
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_14N80P (6J) 5-02-06.xls
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